OBIRCH 原理： 用雷射光束在器件表面掃描，雷射光束的部分能量轉化為熱量。如果互連線中存在缺陷或者空洞，這

些區域附近的熱量傳導不同於其他的完整區域，將引起局部溫度變化，從而引起電阻值改變ΔR，如果對互連線施加恒

定電壓，則表現為電流變化ΔI= (ΔR/V)I2, 通過此關係，將熱引起的電阻變化和電流變化聯繫起來。將電流變化的大小與

所成像的圖元亮度對應，圖元的位置和電流發生變化時鐳射掃描到的位置相對應。這樣就可以產生OBIRCH像來定位

缺陷.

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OBIRCH 應用：

OBIRCH常用于晶片內部高阻抗及低阻抗分析，線路漏

電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺

陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高

阻區等；也能有效的檢測短路或漏電,是發光顯微技術的

有力補充。

（請參閱LC, EMMI 相關內容）