|
|
| 類 別 |
項 目 名 稱 |
注 釋 |
單 位 |
層次去除 |
去層—passivation鈍化層 |
SIO2、SI3N4 |
層 |
去層—Metal金屬層 |
Al |
層 |
去層—oxide氧化層 |
SIO2、SI3N4 |
層 |
去層—poly |
去除器件層以利染色或觀察襯底 |
層 |
去 polyimide |
去除聚醯亞胺 |
顆 |
染色 |
阱染色/電阻染色 |
通過染色區分P-MOS、N-MOS或摻雜電阻
( 因其透明而無法在光學顯微鏡下直接觀察 ) |
顆 |
碼點染色 |
通過染色區分ROM區中
以離子注入方式來代表的"0"和"1" |
顆 |
| 取晶 |
取晶 |
去除封裝, 將die完整取出. |
顆 |
拍照 |
高解析度顯微拍照 |
* 解析度0.25um, 無縫拼接, 1.2m寬幅照片輸出
* 精確放大倍率, 圖附微米尺規, 方便測量線寬 |
平方米 |
照片加印 |
沖洗多份照片 |
平方米 |
| 評估 |
概貌圖及拍照評估 |
給出工藝參數評估報告：
die size, 線寬, 建議拍照倍率, 概貌圖 |
顆 |
|
| |
|
|
|
