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晶片化學處理
 
 
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類 別 項 目 名 稱 注 釋 單 位

層次去除

去層—passivation鈍化層

SIO2、SI3N4

去層—Metal金屬層

Al

去層—oxide氧化層

SIO2、SI3N4

去層—poly

去除器件層以利染色或觀察襯底

去 polyimide

去除聚醯亞胺

染色

阱染色/電阻染色

通過染色區分P-MOS、N-MOS或摻雜電阻
( 因其透明而無法在光學顯微鏡下直接觀察 )

碼點染色

通過染色區分ROM區中
以離子注入方式來代表的"0"和"1"

取晶

取晶

去除封裝, 將die完整取出.

拍照

高解析度顯微拍照

* 解析度0.25um, 無縫拼接, 1.2m寬幅照片輸出
* 精確放大倍率, 圖附微米尺規, 方便測量線寬

平方米

照片加印

沖洗多份照片

平方米

評估

概貌圖及拍照評估

給出工藝參數評估報告:
die size, 線寬, 建議拍照倍率, 概貌圖

 
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