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展芯晶片分析實驗室 FIB性能參數
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型號：FEI DualBeam 820. FIB/SEM（離子束/電子束）雙束機台
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大陸地區第一台投入商業服務的Dual-Beam雙束機台
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最精准解析度高達7nm
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可同時提供FIB聚焦離子束切割修改與SEM電子束影像觀察
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微線路切割，鹵素氣體輔助蝕刻
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縱向切割 Cross-Section
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深層微沉積，沉積金屬物為白金/鎢
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VC (Voltage Contrast) 電位對比測試，判斷連接線(metal, poly, contact, via)之open/ short
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微線路修改最高制程可達0.13um
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支持8英寸wafer
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FIB 主要應用範圍
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| 微線路修改（Microcircuit Modification） |
| 可直接對金屬線做切斷、連接或跳線處理. 相對於再次流片驗證, 先用FIB工具來驗證線路設計的修改, 在時效和成本上具有非常明顯的優勢. |
| 測試鍵生長（Test Pad/Probing Pad Building） |
| 在複雜線路中任意位置鍍出測試鍵, 工程師可進一步使用探針台(Probe station) 或 E-beam 直接觀測IC內部信號 |
| 縱向解剖 Cross-section |
| SEM掃描電鏡/TEM透射電鏡的樣片製備. |
VC電勢對比測試（Voltage Contrast） |
利用不同電勢金屬受離子束/電子束照射後二次電子產量不同致使其影像形成對比的原理，判斷metal, poly, contact, via之open/short |
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FIB 原 理
靜電透鏡聚焦的高能量鎵離子, 經高壓電場加速後撞擊試片表面, 在特定氣體協作下產生圖像並移除或沉澱(連接)
物質, 其解析度為亞微米級別. 離子束實體噴濺加以鹵素氣體協作, 可完成移除表面物質 (縱向解剖/開挖護層、切
斷金屬線), 離子束噴濺與有機氣體協作則可完成導體沉積 (金屬線連接、測試鍵生長). |
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