利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組,在顯微鏡下呈現出不同於其他區域的斑狀影像, 找尋在實際分析中困擾設計人員

的漏電區域（超過10mA之故障點）。LC可偵測因ESD,EOS應力破壞導致晶片失效的具體位置。

（請參閱EMMI, OBIRCH 相關內容）

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