隨著IC制程工藝不斷升級, 特徵尺寸已演進到深亞微米階段. 而隨特徵尺寸減小, 積體電路對靜電放電 ( Electrostatic Discharge ) 變得更加敏感, ESD引起的產品失效問題對製造成本、產品質可靠性以及IC公司利潤率的影響日益顯著, 成為電子工業代價最大的失效原因之一.
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* Latch-up 閂鎖效應, 又稱寄生PNPN效應或可控矽整流器 ( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效應.
* 閂鎖效應被稱為繼電子遷移效應之後新的“CPU殺手”.
