随着IC制程工艺不断升级, 特征尺寸已演进到深亚微米阶段. 而随特征尺寸减小, 集成电路对静电放电 ( Electrostatic Discharge ) 变得更加敏感, ESD引起的产品失效问题对制造成本、产品质可靠性以及IC公司利润率的影响日益显著, 成为电子工业代价最大的失效原因之一.
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* Latch-up 闩锁效应, 又称寄生PNPN效应或可控硅整流器 ( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效应.
* 闩锁效应被称为继电子迁移效应之后新的“CPU杀手”.
