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| 静电放电/闩锁测试 → |
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| 闩锁效应测试 |
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* Latch-up 闩锁效应, 又称寄生PNPN效应或可控硅整流器 ( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效应. 在整体硅的
CMOS 管下, 不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结, 而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管.
因此CMOS管的下面会构成多个三极管, 这些三极管自身就可能构成一个电路. 这就是MOS管的寄生三极管效应. 如果电
路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件, 这个寄生的电路就会极大的影响正常电路的运作, 会使原本的MOS电路承受
比正常工作大得多的电流, 可能使电路迅速的烧毁. Latch-up状态下器件在电源与地之间形成短路, 造成大电流、EOS
(electrical overstress
电过载) 和器件损坏. |
* 闩锁效应在大线宽的工艺上作用并不明显, 而线宽越小, 寄生三极管的反应电压越低, 闩锁效应的影响就越明显. 闩锁效
应被称为继电子迁移效应之后新的“CPU杀手”. 防止CMOS电路设计中Latch-up效应的产生已成为IC设计界的重要课题.
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